Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

SSM6J512NU,LF

Производителей:	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	SSM6J512NU,LF
Описание:	MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	U-MOSVII
Тип FET	P-Channel
Упаковки	Digi-Reel®
Vgs (Макс)	±10V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	6-WDFN Exposed Pad
Vgs (th) (Max)	1V @ 1mA
Операционная температура	150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	16.2mOhm @ 4A, 8V
Рассеивание мощности (Макс)	1.25W (Ta)
Пакет устройств поставщика	6-UDFNB (2x2)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	19.5nC @ 4.5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	12V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	1400pF @ 6V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	10A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	1.8V, 8V