Image is for reference only , details as Specifications

TJ10S04M3L(T6L1,NQ

Производителей:	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	TJ10S04M3L(T6L1,NQ
Описание:	MOSFET P-CH 40V 10A DPAK-3
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	U-MOSVI
Тип FET	P-Channel
Упаковки	Tape & Reel (TR)
Vgs (Макс)	+10V, -20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max)	3V @ 1mA
Операционная температура	175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	44mOhm @ 5A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	27W (Tc)
Пакет устройств поставщика	DPAK+
Заряд ворот (Кг) (Макс)	19nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	40V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	930pF @ 10V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	10A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	6V, 10V