Image is for reference only , details as Specifications
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
| Производителей: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Лист данных: | TJ8S06M3L(T6L1,NQ) |
| Описание: | MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3 |
| Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производителя | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Серии | U-MOSVI |
| Тип FET | P-Channel |
| Упаковки | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (Макс) | +10V, -20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Функция FET | - |
| Статус части | Active |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет / Дело | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Vgs (th) (Max) | 3V @ 1mA |
| Операционная температура | 175°C (TJ) |
| Rds On (Макс) - Id, Vgs | 104mOhm @ 4A, 10V |
| Рассеивание мощности (Макс) | 27W (Tc) |
| Пакет устройств поставщика | DPAK+ |
| Заряд ворот (Кг) (Макс) | 19nC @ 10V |
| Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 60V |
| Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 890pF @ 10V |
| Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 8A (Ta) |
| Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) | 6V, 10V |
На складе 94 pcs
| Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.46 | $0.45 | $0.44 |
Минимальный: 1
Запрос Цитата
Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее
Bargain Finds
