Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

TK100E08N1,S1X

Производителей:	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	TK100E08N1,S1X
Описание:	MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	U-MOSVIII-H
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tube
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Through Hole
Пакет / Дело	TO-220-3
Vgs (th) (Max)	4V @ 1mA
Операционная температура	150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	3.2mOhm @ 50A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	255W (Tc)
Пакет устройств поставщика	TO-220
Заряд ворот (Кг) (Макс)	130nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	80V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	9000pF @ 40V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	100A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V