Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

TK100L60W,VQ

Производителей:	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	TK100L60W,VQ
Описание:	MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	DTMOSIV
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tube
Vgs (Макс)	±30V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	Super Junction
Статус части	Active
Тип монтажа	Through Hole
Пакет / Дело	TO-3PL
Vgs (th) (Max)	3.7V @ 5mA
Операционная температура	150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	18mOhm @ 50A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	797W (Tc)
Пакет устройств поставщика	TO-3P(L)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	360nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	600V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	15000pF @ 30V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	100A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V