Image is for reference only , details as Specifications

TK10E60W,S1VX

Производителей: Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: TK10E60W,S1VX
Описание: MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии DTMOSIV
Тип FET N-Channel
Упаковки Tube
Vgs (Макс) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET Super Junction
Статус части Active
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-220-3
Vgs (th) (Max) 3.7V @ 500µA
Операционная температура 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 380mOhm @ 4.9A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 100W (Tc)
Пакет устройств поставщика TO-220
Заряд ворот (Кг) (Макс) 20nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 600V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 700pF @ 300V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 9.7A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 69 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.65 $2.60 $2.55
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IPA65R280E6XKSA1
Infineon Technologies
$2.57
TK28A65W,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage
$4.77
IXTH130N10T
IXYS
$4.58
IXFH340N075T2
IXYS
$8.04
IXTH62N65X2
IXYS
$8