Image is for reference only , details as Specifications

TK10J80E,S1E

Производителей: Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: TK10J80E,S1E
Описание: MOSFET N-CH 800V TO-3PN
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии π-MOSVIII
Тип FET N-Channel
Упаковки Tube
Vgs (Макс) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-3P-3, SC-65-3
Vgs (th) (Max) 4V @ 1mA
Операционная температура 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 1Ohm @ 5A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 250W (Tc)
Пакет устройств поставщика TO-3P(N)
Заряд ворот (Кг) (Макс) 46nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 800V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 2000pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 10A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 60 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.49 $2.44 $2.39
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IPB024N10N5ATMA1
Infineon Technologies
$2.49
IPI111N15N3GAKSA1
Infineon Technologies
$2.55
IXFP130N10T
IXYS
$2.54
IXTP3N100P
IXYS
$2.54
IPW65R190C7XKSA1
Infineon Technologies
$2.54