TK10J80E,S1E
Производителей: | Toshiba Semiconductor and Storage |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Лист данных: | TK10J80E,S1E |
Описание: | MOSFET N-CH 800V TO-3PN |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | Toshiba Semiconductor and Storage |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Серии | π-MOSVIII |
Тип FET | N-Channel |
Упаковки | Tube |
Vgs (Макс) | ±30V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Функция FET | - |
Статус части | Active |
Тип монтажа | Through Hole |
Пакет / Дело | TO-3P-3, SC-65-3 |
Vgs (th) (Max) | 4V @ 1mA |
Операционная температура | 150°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 1Ohm @ 5A, 10V |
Рассеивание мощности (Макс) | 250W (Tc) |
Пакет устройств поставщика | TO-3P(N) |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 46nC @ 10V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 800V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 2000pF @ 25V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 10A (Ta) |
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) | 10V |
На складе 60 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$2.49 | $2.44 | $2.39 |
Минимальный: 1