Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

TK10Q60W,S1VQ

Производителей:	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	TK10Q60W,S1VQ
Описание:	MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	DTMOSIV
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tube
Vgs (Макс)	±30V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Through Hole
Пакет / Дело	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Vgs (th) (Max)	3.7V @ 500µA
Операционная температура	150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	430mOhm @ 4.9A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	80W (Tc)
Пакет устройств поставщика	I-PAK
Заряд ворот (Кг) (Макс)	20nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	600V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	700pF @ 300V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	9.7A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V