Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

TK11P65W,RQ

Производителей:	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	TK11P65W,RQ
Описание:	MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK-0S
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	DTMOSIV
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tape & Reel (TR)
Vgs (Макс)	±30V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max)	3.5V @ 450µA
Операционная температура	150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	440mOhm @ 5.5A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	100W (Tc)
Пакет устройств поставщика	DPAK
Заряд ворот (Кг) (Макс)	25nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	650V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	890pF @ 300V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	11.1A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V