Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

TK12E60W,S1VX

Производителей:	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	TK12E60W,S1VX
Описание:	MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	DTMOSIV
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tube
Vgs (Макс)	±30V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	Super Junction
Статус части	Active
Тип монтажа	Through Hole
Пакет / Дело	TO-220-3
Vgs (th) (Max)	3.7V @ 600µA
Операционная температура	150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	300mOhm @ 5.8A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	110W (Tc)
Пакет устройств поставщика	TO-220
Заряд ворот (Кг) (Макс)	25nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	600V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	890pF @ 300V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	11.5A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V