Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

TK12E80W,S1X

Производителей: Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: TK12E80W,S1X
Описание: MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии DTMOSIV
Тип FET N-Channel
Упаковки Tube
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-220-3
Vgs (th) (Max) 4V @ 570µA
Операционная температура 150°C
Rds On (Макс) - Id, Vgs 450mOhm @ 5.8A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 165W (Tc)
Пакет устройств поставщика TO-220
Заряд ворот (Кг) (Макс) 23nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 800V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 1400pF @ 300V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 11.5A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 330 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.13 $3.07 $3.01
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

SIHB20N50E-GE3
Vishay / Siliconix
$3.13
SUP90142E-GE3
Vishay / Siliconix
$3.11
FDPF20N50FT
ON Semiconductor
$3.09
FDP038AN06A0
ON Semiconductor
$3.07
FDP045N10A-F102
ON Semiconductor
$3.06