Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

TK160F10N1L,LQ

Производителей:	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	TK160F10N1L,LQ
Описание:	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	U-MOSVIII-H
Тип FET	N-Channel
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max)	3.5V @ 1mA
Операционная температура	175°C
Rds On (Макс) - Id, Vgs	2.4mOhm @ 80A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	375W (Tc)
Пакет устройств поставщика	TO-220SM(W)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	122nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	100V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	10100pF @ 10V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	160A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	6V, 10V