Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

TK17E65W,S1X

Производителей: Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: TK17E65W,S1X
Описание: MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии DTMOSIV
Тип FET N-Channel
Упаковки Tube
Vgs (Макс) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-220-3
Vgs (th) (Max) 3.5V @ 900µA
Операционная температура 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 200mOhm @ 8.7A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 165W (Tc)
Пакет устройств поставщика TO-220
Заряд ворот (Кг) (Макс) 45nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 650V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 1800pF @ 300V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 17.3A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 92 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IPD50R380CEATMA1
Infineon Technologies
$0
DMN2400UFDQ-7
Diodes Incorporated
$0
DMG6968UQ-7
Diodes Incorporated
$0
DMG2302UQ-7
Diodes Incorporated
$0
SIPC26N60S5X1SA1
Infineon Technologies
$0