Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

TK3A60DA(STA4,Q,M)

Производителей:	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	TK3A60DA(STA4,Q,M)
Описание:	MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	π-MOSVII
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tube
Vgs (Макс)	±30V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Through Hole
Пакет / Дело	TO-220-3 Full Pack
Vgs (th) (Max)	4.4V @ 1mA
Операционная температура	150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	2.8Ohm @ 1.3A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	30W (Tc)
Пакет устройств поставщика	TO-220SIS
Заряд ворот (Кг) (Макс)	9nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	600V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	380pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	2.5A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V