Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

TK62J60W,S1VQ

Производителей:	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	TK62J60W,S1VQ
Описание:	MOSFET N CH 600V 61.8A TO-3P(N)
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	DTMOSIV
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tube
Vgs (Макс)	±30V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	Super Junction
Статус части	Active
Тип монтажа	Through Hole
Пакет / Дело	TO-3P-3, SC-65-3
Vgs (th) (Max)	3.7V @ 3.1mA
Операционная температура	150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	38mOhm @ 30.9A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	400W (Tc)
Пакет устройств поставщика	TO-3P(N)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	180nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	600V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	6500pF @ 300V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	61.8A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V