Image is for reference only , details as Specifications

TK9J90E,S1E

Производителей: Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: TK9J90E,S1E
Описание: MOSFET N-CH 900V TO-3PN
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии -
Тип FET N-Channel
Упаковки Tube
Vgs (Макс) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-3P-3, SC-65-3
Vgs (th) (Max) 4V @ 900µA
Операционная температура 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 1.3Ohm @ 4.5A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 250W (Tc)
Пакет устройств поставщика TO-3P(N)
Заряд ворот (Кг) (Макс) 46nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 900V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 2000pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 9A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 194 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.01 $2.95 $2.89
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IXFY36N20X3
IXYS
$2.99
IXFY26N30X3
IXYS
$2.99
IRFP350PBF
Vishay / Siliconix
$2.99
STP2NK100Z
STMicroelectronics
$2.99
IRFSL4010PBF
Infineon Technologies
$2.98