Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

TK9J90E,S1E

Производителей:	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	TK9J90E,S1E
Описание:	MOSFET N-CH 900V TO-3PN
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	-
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tube
Vgs (Макс)	±30V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Through Hole
Пакет / Дело	TO-3P-3, SC-65-3
Vgs (th) (Max)	4V @ 900µA
Операционная температура	150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	1.3Ohm @ 4.5A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	250W (Tc)
Пакет устройств поставщика	TO-3P(N)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	46nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	900V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	2000pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	9A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V