Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

TPC8035-H(TE12L,QM

Производителей:	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	TPC8035-H(TE12L,QM
Описание:	MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	U-MOSVI-H
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Cut Tape (CT)
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Obsolete
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Vgs (th) (Max)	2.3V @ 1mA
Операционная температура	150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	3.2mOhm @ 9A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	1W (Ta)
Пакет устройств поставщика	8-SOP (5.5x6.0)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	82nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	7800pF @ 10V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	18A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	4.5V, 10V