Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

TPH2R506PL,L1Q

Производителей:	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	TPH2R506PL,L1Q
Описание:	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	U-MOSIX-H
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Digi-Reel®
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max)	2.5V @ 500µA
Операционная температура	175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	4.4mOhm @ 30A, 4.5V
Рассеивание мощности (Макс)	132W (Tc)
Пакет устройств поставщика	8-SOP Advance (5x5)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	60nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	60V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	5435pF @ 30V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	100A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	4.5V, 10V