Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

TPH4R10ANL,L1Q

Производителей:	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	TPH4R10ANL,L1Q
Описание:	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	U-MOSVIII-H
Тип FET	N-Channel
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max)	2.5V @ 1mA
Операционная температура	150°C
Rds On (Макс) - Id, Vgs	4.1mOhm @ 35A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	2.5W (Ta), 67W (Tc)
Пакет устройств поставщика	8-SOP Advance (5x5)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	75nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	100V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	6.3nF @ 50V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	92A (Ta), 70A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	4.5V, 10V