Image is for reference only , details as Specifications
TPN1110ENH,L1Q
| Производителей: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Лист данных: | TPN1110ENH,L1Q |
| Описание: | MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON |
| Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производителя | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Серии | U-MOSVIII-H |
| Тип FET | N-Channel |
| Упаковки | Digi-Reel® |
| Vgs (Макс) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Функция FET | - |
| Статус части | Discontinued at Digi-Key |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет / Дело | 8-PowerVDFN |
| Vgs (th) (Max) | 4V @ 200µA |
| Операционная температура | 150°C (TJ) |
| Rds On (Макс) - Id, Vgs | 114mOhm @ 3.6A, 10V |
| Рассеивание мощности (Макс) | 700mW (Ta), 39W (Tc) |
| Пакет устройств поставщика | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Заряд ворот (Кг) (Макс) | 7nC @ 10V |
| Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 200V |
| Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 600pF @ 100V |
| Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 7.2A (Ta) |
| Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) | 10V |
На складе 96 pcs
| Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1
Запрос Цитата
Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее
Bargain Finds
