Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

TPN1600ANH,L1Q

Производителей: Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: TPN1600ANH,L1Q
Описание: MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии U-MOSVIII-H
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max) 4V @ 200µA
Операционная температура 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 16mOhm @ 8.5A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 700mW (Ta), 42W (Tc)
Пакет устройств поставщика 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Заряд ворот (Кг) (Макс) 19nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 100V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 1600pF @ 50V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 17A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 5220 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

DMG4435SSS-13
Diodes Incorporated
$0
AOD454A
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$0
DMP6110SVT-7
Diodes Incorporated
$0
DMN6040SFDE-7
Diodes Incorporated
$0
PMV213SN,215
Nexperia USA Inc.
$0