Image is for reference only , details as Specifications

TPN1R603PL,L1Q

Производителей: Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: TPN1R603PL,L1Q
Описание: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии U-MOSIX-H
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max) 2.1V @ 300µA
Операционная температура 175°C
Rds On (Макс) - Id, Vgs 1.6mOhm @ 40A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 104W (Tc)
Пакет устройств поставщика 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Заряд ворот (Кг) (Макс) 41nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 3900pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 80A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 4.5V, 10V

На складе 4890 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

FDS8449
ON Semiconductor
$0
DMT3004LPS-13
Diodes Incorporated
$0
FDD7N25LZTM
ON Semiconductor
$0.89
STD20NF06LAG
STMicroelectronics
$0
SI3460BDV-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0