Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

TPN22006NH,LQ

Производителей:	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	TPN22006NH,LQ
Описание:	MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	U-MOSVIII-H
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Digi-Reel®
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max)	4V @ 100µA
Операционная температура	150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	22mOhm @ 4.5A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	700mW (Ta), 18W (Tc)
Пакет устройств поставщика	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	12nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	60V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	710pF @ 30V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	9A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	6.5V, 10V