Image is for reference only , details as Specifications

TPN4R303NL,L1Q

Производителей:	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	TPN4R303NL,L1Q
Описание:	MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	U-MOSVIII-H
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Digi-Reel®
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max)	2.3V @ 200µA
Операционная температура	150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	4.3mOhm @ 20A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	700mW (Ta), 34W (Tc)
Пакет устройств поставщика	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	14.8nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	1400pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	40A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	4.5V, 10V