TPN4R712MD,L1Q
Производителей: | Toshiba Semiconductor and Storage |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Лист данных: | TPN4R712MD,L1Q |
Описание: | MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | Toshiba Semiconductor and Storage |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Серии | U-MOSVI |
Тип FET | P-Channel |
Упаковки | Digi-Reel® |
Vgs (Макс) | ±12V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Функция FET | - |
Статус части | Active |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет / Дело | 8-PowerVDFN |
Vgs (th) (Max) | 1.2V @ 1mA |
Операционная температура | 150°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 4.7mOhm @ 18A, 4.5V |
Рассеивание мощности (Макс) | 42W (Tc) |
Пакет устройств поставщика | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 65nC @ 5V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 20V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 4300pF @ 10V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 36A (Tc) |
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) | 2.5V, 4.5V |
На складе 7320 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1