Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

TPN4R712MD,L1Q

Производителей:	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	TPN4R712MD,L1Q
Описание:	MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	U-MOSVI
Тип FET	P-Channel
Упаковки	Digi-Reel®
Vgs (Макс)	±12V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max)	1.2V @ 1mA
Операционная температура	150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	4.7mOhm @ 18A, 4.5V
Рассеивание мощности (Макс)	42W (Tc)
Пакет устройств поставщика	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	65nC @ 5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	20V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	4300pF @ 10V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	36A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	2.5V, 4.5V