Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

TPW1R306PL,L1Q

Производителей:	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	TPW1R306PL,L1Q
Описание:	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	U-MOSIX-H
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Digi-Reel®
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max)	2.5V @ 1mA
Операционная температура	175°C
Rds On (Макс) - Id, Vgs	1.29mOhm @ 50A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	960mW (Ta), 170W (Tc)
Пакет устройств поставщика	8-DSOP Advance
Заряд ворот (Кг) (Макс)	91nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	60V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	8100pF @ 30V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	260A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	4.5V, 10V