Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

ULN2803APG,CN

Производителей: Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Лист данных: ULN2803APG,CN
Описание: TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Серии -
Упаковки Tube
Статус части Obsolete
Мощность - Макс 1.47W
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело 18-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип транзистора 8 NPN Darlington
Номер базовой части ULN280*A
Операционная температура -40°C ~ 85°C (TA)
Частота - Переход -
Пакет устройств поставщика 18-DIP
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 500mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) -
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce 1000 @ 350mA, 2V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 50V

На складе 76 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

ZXTDE4M832TA
Diodes Incorporated
$0
ZXTDC3M832TA
Diodes Incorporated
$0
ZXTD4591AM832TA
Diodes Incorporated
$0
E-ULQ2003D1
STMicroelectronics
$0
E-ULQ2003A
STMicroelectronics
$0