Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

TP65H070LDG

Производителей:	Transphorm
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	TP65H070LDG
Описание:	650 V 25 A GAN FET
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Transphorm
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	TP65H070L
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tube
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	GaNFET (Gallium Nitride)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	3-PowerDFN
Vgs (th) (Max)	4.8V @ 700µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	85mOhm @ 16A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	96W (Tc)
Пакет устройств поставщика	3-PQFN (8x8)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	9.3nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	650V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	600pF @ 400V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	25A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V