Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

TPH3206LDGB

Производителей:	Transphorm
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	TPH3206LDGB
Описание:	GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Transphorm
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	-
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tube
Vgs (Макс)	±18V
Технологии	GaNFET (Gallium Nitride)
Функция FET	-
Статус части	Not For New Designs
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	3-PowerDFN
Vgs (th) (Max)	2.6V @ 500µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	180mOhm @ 11A, 8V
Рассеивание мощности (Макс)	81W (Tc)
Пакет устройств поставщика	PQFN (8x8)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	9.3nC @ 4.5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	650V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	760pF @ 480V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	16A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V