Image is for reference only , details as Specifications

VS-GT300YH120N

Производителей: Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: VS-GT300YH120N
Описание: IGBT 1200V 341A 1042W DIAP
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT Trench
Статус части Active
Мощность - Макс 1042W
Конфигурации Half Bridge
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор No
Пакет / Дело Double INT-A-PAK (3 + 8)
Операционная температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Пакет устройств поставщика Double INT-A-PAK
Vce (на) (Макс) 2.17V @ 15V, 300A (Typ)
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 341A
Вхотогие емки (Cies) 36nF @ 30V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 300µA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 85 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$171.46 $168.03 $164.67
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

F3L300R12MT4B23BOSA1
Infineon Technologies
$170.64
F3L300R12MT4B22BOSA1
Infineon Technologies
$170.64
F3L300R12ME4B23BOSA1
Infineon Technologies
$170.64
F3L300R12ME4B22BOSA1
Infineon Technologies
$170.64
FF450R12ME4B11BPSA1
Infineon Technologies
$169.17