Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

VS-GT400TH120N

Производителей: Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: VS-GT400TH120N
Описание: IGBT 1200V 600A 2119W DIAP
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT Trench
Статус части Obsolete
Мощность - Макс 2119W
Конфигурации Half Bridge
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор No
Пакет / Дело Double INT-A-PAK (3 + 8)
Операционная температура 150°C (TJ)
Пакет устройств поставщика Double INT-A-PAK
Vce (на) (Макс) 2.15V @ 15V, 400A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 600A
Вхотогие емки (Cies) 28.8nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 5mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 74 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

VS-GT175DA120U
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$0
VS-GT100TP120N
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$0
VS-GT100DA120U
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$0
VS-GB75SA120UP
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$0
VS-GB75LP120N
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$0