Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

VS-GT400TH60N

Производителей: Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: VS-GT400TH60N
Описание: IGBT 600V 530A 1600W DIAP
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT Trench
Статус части Active
Мощность - Макс 1600W
Конфигурации Half Bridge
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор No
Пакет / Дело Double INT-A-PAK (3 + 8)
Операционная температура 175°C (TJ)
Пакет устройств поставщика Double INT-A-PAK
Vce (на) (Макс) 2.05V @ 15V, 400A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 530A
Вхотогие емки (Cies) 30.8nF @ 30V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 5mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 600V

На складе 78 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$448.52 $439.55 $430.76
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

DF600R12IP4DVBOSA1
Infineon Technologies
$443.45
FF600R12IP4VBOSA1
Infineon Technologies
$435.96
FF600R12IE4VBOSA1
Infineon Technologies
$435.96
VS-GB200TH120U
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$434.51
VS-GB200TH120N
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$434.51