Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IRFD113

Производителей:	Vishay / Siliconix
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	IRFD113
Описание:	MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Vishay / Siliconix
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	-
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tube
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Obsolete
Тип монтажа	Through Hole
Пакет / Дело	4-DIP (0.300", 7.62mm)
Vgs (th) (Max)	4V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	800mOhm @ 800mA, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	1W (Tc)
Пакет устройств поставщика	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Заряд ворот (Кг) (Макс)	7nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	60V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	200pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	800mA (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V