Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IRLD120PBF

Производителей:	Vishay / Siliconix
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	IRLD120PBF
Описание:	MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Vishay / Siliconix
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	-
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tube
Vgs (Макс)	±10V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Through Hole
Пакет / Дело	4-DIP (0.300", 7.62mm)
Vgs (th) (Max)	2V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	270mOhm @ 780mA, 5V
Рассеивание мощности (Макс)	1.3W (Ta)
Пакет устройств поставщика	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Заряд ворот (Кг) (Макс)	12nC @ 5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	100V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	490pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	1.3A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	4V, 5V