Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

SI1070X-T1-GE3

Производителей:	Vishay / Siliconix
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	SI1070X-T1-GE3
Описание:	MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Vishay / Siliconix
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	TrenchFET®
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Digi-Reel®
Vgs (Макс)	±12V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	SOT-563, SOT-666
Vgs (th) (Max)	1.55V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	99mOhm @ 1.2A, 4.5V
Рассеивание мощности (Макс)	236mW (Ta)
Пакет устройств поставщика	SC-89-6
Заряд ворот (Кг) (Макс)	8.3nC @ 5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	385pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	-
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	2.5V, 4.5V