Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

SI2307BDS-T1-GE3

Производителей: Vishay / Siliconix
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: SI2307BDS-T1-GE3
Описание: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Vishay / Siliconix
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии TrenchFET®
Тип FET P-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (th) (Max) 3V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 78mOhm @ 3.2A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 750mW (Ta)
Заряд ворот (Кг) (Макс) 15nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 380pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 2.5A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 7753 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

SSM6J502NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
TSM301K12CQ RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
$0
QS6U24TR
ROHM Semiconductor
$0
TSM080N03PQ56 RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
$0
TSM080N03EPQ56 RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
$0