Image is for reference only , details as Specifications

SI2308BDS-T1-GE3

Производителей:	Vishay / Siliconix
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	SI2308BDS-T1-GE3
Описание:	MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Vishay / Siliconix
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	TrenchFET®
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Digi-Reel®
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (th) (Max)	3V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	156mOhm @ 1.9A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Пакет устройств поставщика	SOT-23-3 (TO-236)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	6.8nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	60V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	190pF @ 30V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	2.3A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	4.5V, 10V