Image is for reference only , details as Specifications

SI2312BDS-T1-GE3

Производителей:	Vishay / Siliconix
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	SI2312BDS-T1-GE3
Описание:	MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Vishay / Siliconix
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	TrenchFET®
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Digi-Reel®
Vgs (Макс)	±8V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (th) (Max)	850mV @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	31mOhm @ 5A, 4.5V
Рассеивание мощности (Макс)	750mW (Ta)
Пакет устройств поставщика	SOT-23-3 (TO-236)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	12nC @ 4.5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	20V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	3.9A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	1.8V, 4.5V