SI2312BDS-T1-GE3
Производителей: | Vishay / Siliconix |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Лист данных: | SI2312BDS-T1-GE3 |
Описание: | MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | Vishay / Siliconix |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Серии | TrenchFET® |
Тип FET | N-Channel |
Упаковки | Digi-Reel® |
Vgs (Макс) | ±8V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Функция FET | - |
Статус части | Active |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет / Дело | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Vgs (th) (Max) | 850mV @ 250µA |
Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 31mOhm @ 5A, 4.5V |
Рассеивание мощности (Макс) | 750mW (Ta) |
Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 (TO-236) |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 12nC @ 4.5V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 20V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 3.9A (Ta) |
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) | 1.8V, 4.5V |
На складе 154801 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1