Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

SI2324DS-T1-GE3

Производителей:	Vishay / Siliconix
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	SI2324DS-T1-GE3
Описание:	MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Vishay / Siliconix
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	TrenchFET®
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Digi-Reel®
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (th) (Max)	2.9V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	234mOhm @ 1.5A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	10.4nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	100V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	190pF @ 50V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	2.3A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V