Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

SI2365EDS-T1-GE3

Производителей: Vishay / Siliconix
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: SI2365EDS-T1-GE3
Описание: MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Vishay / Siliconix
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии TrenchFET®
Тип FET P-Channel
Упаковки Tape & Reel (TR)
Vgs (Макс) ±8V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (th) (Max) 1V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 32mOhm @ 4A, 4.5V
Рассеивание мощности (Макс) 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Пакет устройств поставщика TO-236
Заряд ворот (Кг) (Макс) 36nC @ 8V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 20V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 5.9A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 1.8V, 4.5V

На складе 33000 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.09 $0.09 $0.09
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

AO3407A
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$0
DMG3401LSN-7
Diodes Incorporated
$0.37
NTE4153NT1G
ON Semiconductor
$0
AO3415A
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$0
DMG6968U-7
Diodes Incorporated
$0.1