Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

SI3477DV-T1-GE3

Производителей:	Vishay / Siliconix
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	SI3477DV-T1-GE3
Описание:	MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Vishay / Siliconix
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	TrenchFET®
Тип FET	P-Channel
Упаковки	Digi-Reel®
Vgs (Макс)	±10V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs (th) (Max)	1V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	17.5mOhm @ 9A, 4.5V
Рассеивание мощности (Макс)	2W (Ta), 4.2W (Tc)
Пакет устройств поставщика	6-TSOP
Заряд ворот (Кг) (Макс)	90nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	12V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	2600pF @ 6V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	8A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	1.8V, 4.5V