Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

SI3483DDV-T1-GE3

Производителей:	Vishay / Siliconix
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	SI3483DDV-T1-GE3
Описание:	P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET TSOP
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Vishay / Siliconix
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	TrenchFET® Gen IV
Тип FET	P-Channel
Упаковки	Cut Tape (CT)
Vgs (Макс)	+16V, -20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs (th) (Max)	2.2V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	31.2mOhm @ 5A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	2W (Ta), 3W (Tc)
Пакет устройств поставщика	6-TSOP
Заряд ворот (Кг) (Макс)	14.5nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	580pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	6.4A (Ta), 8A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	4.5V, 10V