SI3900DV-T1-E3
Производителей: | Vishay / Siliconix |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Лист данных: | SI3900DV-T1-E3 |
Описание: | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | Vishay / Siliconix |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Серии | TrenchFET® |
Тип FET | 2 N-Channel (Dual) |
Упаковки | Digi-Reel® |
Функция FET | Logic Level Gate |
Статус части | Active |
Мощность - Макс | 830mW |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет / Дело | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Номер базовой части | SI3900 |
Vgs (th) (Max) | 1.5V @ 250µA |
Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 125mOhm @ 2.4A, 4.5V |
Пакет устройств поставщика | 6-TSOP |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 4nC @ 4.5V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 20V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | - |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 2A |
На складе 48734 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1