Image is for reference only , details as Specifications

SI3900DV-T1-E3

Производителей: Vishay / Siliconix
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: SI3900DV-T1-E3
Описание: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Vishay / Siliconix
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии TrenchFET®
Тип FET 2 N-Channel (Dual)
Упаковки Digi-Reel®
Функция FET Logic Level Gate
Статус части Active
Мощность - Макс 830mW
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Номер базовой части SI3900
Vgs (th) (Max) 1.5V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Пакет устройств поставщика 6-TSOP
Заряд ворот (Кг) (Макс) 4nC @ 4.5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 20V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds -
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 2A

На складе 48734 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

SI9933CDY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
BSL308PEH6327XTSA1
Infineon Technologies
$0
FDC6506P
ON Semiconductor
$0
AO4840
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$0
2SC5087R(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0