Image is for reference only , details as Specifications
SI3900DV-T1-GE3
| Производителей: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Лист данных: | SI3900DV-T1-GE3 |
| Описание: | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP |
| Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производителя | Vishay / Siliconix |
| Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Серии | TrenchFET® |
| Тип FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Упаковки | Digi-Reel® |
| Функция FET | Logic Level Gate |
| Статус части | Active |
| Мощность - Макс | 830mW |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет / Дело | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Номер базовой части | SI3900 |
| Vgs (th) (Max) | 1.5V @ 250µA |
| Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Макс) - Id, Vgs | 125mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Пакет устройств поставщика | 6-TSOP |
| Заряд ворот (Кг) (Макс) | 4nC @ 4.5V |
| Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 20V |
| Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | - |
| Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 2A |
На складе 5957 pcs
| Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1
Запрос Цитата
Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее
Bargain Finds
