Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

SI4162DY-T1-GE3

Производителей: Vishay / Siliconix
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: SI4162DY-T1-GE3
Описание: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-SOIC
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Vishay / Siliconix
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии TrenchFET®
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (Max) 3V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 7.9mOhm @ 20A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Пакет устройств поставщика 8-SO
Заряд ворот (Кг) (Макс) 30nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 1155pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 19.3A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 4.5V, 10V

На складе 384 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

RCD075N19TL
ROHM Semiconductor
$0.95
SIS488DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
RSH070N05GZETB
ROHM Semiconductor
$0
FDS8817NZ
ON Semiconductor
$0
RCJ081N20TL
ROHM Semiconductor
$0