Image is for reference only , details as Specifications

SI4435FDY-T1-GE3

Производителей: Vishay / Siliconix
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: SI4435FDY-T1-GE3
Описание: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Vishay / Siliconix
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии TrenchFET® Gen III
Тип FET P-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (Max) 2.2V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 19mOhm @ 9A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 4.8W (Tc)
Пакет устройств поставщика 8-SOIC
Заряд ворот (Кг) (Макс) 42nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 1500pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 12.6A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 4.5V, 10V

На складе 832 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

AON7702
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$0.5
PSMN7R5-30MLDX
Nexperia USA Inc.
$0
SI2399DS-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SI1330EDL-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
DMP2004TK-7
Diodes Incorporated
$0