Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

SI4463BDY-T1-GE3

Производителей:	Vishay / Siliconix
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	SI4463BDY-T1-GE3
Описание:	MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SOIC
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Vishay / Siliconix
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	TrenchFET®
Тип FET	P-Channel
Упаковки	Digi-Reel®
Vgs (Макс)	±12V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (Max)	1.4V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	11mOhm @ 13.7A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	1.5W (Ta)
Пакет устройств поставщика	8-SO
Заряд ворот (Кг) (Макс)	56nC @ 4.5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	20V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	9.8A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	2.5V, 10V