Image is for reference only , details as Specifications

SI4477DY-T1-GE3

Производителей:	Vishay / Siliconix
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	SI4477DY-T1-GE3
Описание:	MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Vishay / Siliconix
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	TrenchFET®
Тип FET	P-Channel
Упаковки	Tape & Reel (TR)
Vgs (Макс)	±12V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (Max)	1.5V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	6.2mOhm @ 18A, 4.5V
Рассеивание мощности (Макс)	3W (Ta), 6.6W (Tc)
Пакет устройств поставщика	8-SO
Заряд ворот (Кг) (Макс)	190nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	20V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	4600pF @ 10V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	26.6A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	2.5V, 4.5V