SI4900DY-T1-GE3
Производителей: | Vishay / Siliconix |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Лист данных: | SI4900DY-T1-GE3 |
Описание: | MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | Vishay / Siliconix |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Серии | TrenchFET® |
Тип FET | 2 N-Channel (Dual) |
Упаковки | Digi-Reel® |
Функция FET | Logic Level Gate |
Статус части | Active |
Мощность - Макс | 3.1W |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет / Дело | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Номер базовой части | SI4900 |
Vgs (th) (Max) | 3V @ 250µA |
Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 58mOhm @ 4.3A, 10V |
Пакет устройств поставщика | 8-SO |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 20nC @ 10V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 60V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 665pF @ 15V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 5.3A |
На складе 2907 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1