Image is for reference only , details as Specifications

SI4922BDY-T1-GE3

Производителей: Vishay / Siliconix
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: SI4922BDY-T1-GE3
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Vishay / Siliconix
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии TrenchFET®
Тип FET 2 N-Channel (Dual)
Упаковки Digi-Reel®
Функция FET Standard
Статус части Active
Мощность - Макс 3.1W
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Номер базовой части SI4922
Vgs (th) (Max) 1.8V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 16mOhm @ 5A, 10V
Пакет устройств поставщика 8-SO
Заряд ворот (Кг) (Макс) 62nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 2070pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 8A

На складе 2500 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

NVMFD5C462NLWFT1G
ON Semiconductor
$0
HP8MA2TB1
ROHM Semiconductor
$0
SH8M5TB1
ROHM Semiconductor
$0
DMHT6016LFJ-13
Diodes Incorporated
$0
SQ4920EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
$0